O会場


第1日・4月4日 (火)

【シンポジウム:薄膜作製とマイクロファブリケーション】
 主催:情報機能材料研究会

(10:30〜11:00)

特1O07  湿式法による微細銅配線技術の展望 (早大理工) 逢坂哲彌

(11:00〜12:00)

1O09  電気力顕微鏡 (EFM) を用いた Si ウェハ表面の電気化学的性質の局所解析 (早大理工, コマツ電子金属) °河野正洋, 塚野 純, 本間敬之, 逢坂哲彌, 渡辺正晴, 永井清司
1O10  フッ酸系溶液中におけるSiウェハ表面への微量金属イオン種の共析効果 (早大理工, コマツ電子金属) °塚野 純, 河野正洋, 本間敬之,  逢坂哲彌, 渡辺正晴, 永井清司
1O11  チオール修飾銀ナノ結晶の単粒子膜とその電気化学的性質 (埼玉大理) °名和真美, 中林誠一郎
1O12  溶融塩電気化学プロセスによる Dy 合金薄膜の形成とその成長過程の検討 (京大院エネ科) °小西宏和, 野平俊之, 伊藤靖彦

(13:00〜14:00)

特1O17  銅ダマシンインターコネクションの展望 (シャープ) 粟屋信義
1O19  Si上への無電解Ni−Pめっき(5)フッ酸−硝酸−リン酸溶液による活性化 (山梨大工, 富士電機, 富士日立パワーセミコン) 柴田正実, °大野貴弘, 古屋長一, 天野 彰, 一ノ瀬正樹, 中山茂幸, 野口顕修
1O20  Si上への無電解Ni-Pめっき(6)フッ酸−過酸化水素−酢酸溶液による活性化 (山梨大工, 富士電機, 富士日立パワーセミコン) °柴田正実, 大野貴弘, 古屋長一, 天野 彰, 一ノ瀬正樹, 中山茂幸, 野口顕修

(14:00〜15:00)

1O21  アークイオンプレーティングにより作製した非晶質窒化炭素膜の電界電子放射特性 (名大院工) °杉村博之, 佐藤芳樹, 高井 治
1O22  NF3によるSiCのプラズマエッチング (同志社大工, 京大院工, 東洋炭素) 田仲健二, °清水 渉, 安部武志, 稲葉 稔, 小久見善八, 東城哲朗, 藤田一郎, 田坂明政
1O23  プラズマアシストCVD法によるグラファイト類似薄膜の作製(I) (同志社大工, 京大院工) °同前友宏, 坂口眞一郎, 北吉雅則, 安部武志, 稲葉 稔, 小久見善八, 田坂明政
1O24  水溶液直接合成法による酸化チタン薄膜のマイクロパターニング (京大院エネ科) 八尾 健, 内本喜晴, 矢部裕城, °坂田正之

(15:00〜16:00)

1O25  プロパギルアルコールの添加による高アスペクト比を有する電析Niアイクロプローブの作製 (早大理工・材研・理総研, 関東学院大工) °河南 賢, 須貝祐子, 浅富士夫, 横島時彦, 門間聰之, 逢坂哲彌, 伊藤糾次, 本間英夫
1O26  理想配列を有するポーラスアルミナによる精密濾過フィルターメンブレン (都立大院工, NTT) 益田秀樹, 樋口 要, 阿相英孝, 中尾正史, 玉村敏昭, 西尾和之
1O27  テクスチャリングによる陽極酸化アルミナ細孔周期の制御 (都立大工, NTT) °阿相英孝, 西尾和之, 横尾 篤, 中尾正史, 玉村敏昭, 益田秀樹
1O28  パルス電析法によるCoNiFe軟磁性薄膜の作製 (早大材研・理工) °中西卓也, 南 孝昇, 尾崎昌樹, 横島時彦,逢坂哲彌

(16:00〜17:00)

1O29  無電解析出法によるCoNiP磁気的機能傾斜薄膜の作製および特性評価 (早大理工) °佐藤裕崇, 喜多洋介, 尾上貴弘, 本間敬之, 法橋滋郎, 逢坂哲彌
1O30  液相析出(LPD)法による傾斜組成を有する複合薄膜の合成 (神戸大工) °出来成人, 飯塚幸彦, 赤松謙祐, 水畑 穣, 梶並昭彦
1O31  電気化学的手法による強誘電体薄膜の合成 (名工大工, JFCC) °野村研二, 柴田典義, 池田章一郎, 前田益伸
1O32  液体・固体状態における金属のホール効果と磁気抵抗効果の同時測定 (静岡大工, 東北大金研) °荻田正巳, 中尾光利, 黒瀬賢吾, 藤波達雄, 茂木 巌, 淡路 智



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