(11:00〜12:00)
特1Q09 発光材料としてのナノ微粒子 (奈良先端大物質創成) 金光義彦
1Q11 電子線の物体への侵入深さと発光パターン (東芝ディスプレイ材料デバイス研)
゜アルベサール恵子, 玉谷正昭, 松田直寿
1Q12 Y2C2S: Eu長残光蛍光体のトラップ準位 (工学院大, 日亜電子) 米澤幸太,
゜鈴木清志, 村崎嘉典, 中澤叡一郎
(13:00〜14:00)
1Q17 窒化インジウム薄膜のエレクトロクロミック反応 (名大院工) ゜高井 治,
浅井伸明, 井上泰志, 杉村博之
1Q18 Ir-Mn複合酸化物薄膜の電解生成とその EC 特性 (都立大工) ゜吉野隆子,
益田秀樹
1Q19 結晶WO3の近赤外領域におけるエレクトロクロミック特性
(静岡大電子研) ゜高津仁志, 浦部和雄, 喜多尾道火児
1Q20 スパッタリングにより作製したNiO膜の赤外吸収とAFM 観察 (静岡大電子研)
゜島田 健, 野口正人, 浦部和雄, 喜多尾道火児
(14:00〜15:30)
特1Q21 欠陥とバンドから探る透明電子活性材料 (東工大応セラ研, 科技団
ERATO PJ) 細野秀雄
1Q23 化学的成膜法で作製したGa2O3: Mn蛍光体薄膜のEL特性
(金沢工大デバイシス研) ゜白井徹也, 中谷敏邦, 宮田俊弘, 南 内嗣
1Q24 各種成膜法を用いて作製したSnO2: Eu蛍光体薄膜のEL素子への応用
(金沢工大デバイシス研) ゜中谷敏邦, 蔵田健夫, 宮田俊弘, 南 内嗣
1Q25 SrS: Cu,F薄膜EL素子の発光特性の熱処理依存性 (静岡大電子研・電子科研)
゜中島 徹, 川角明人, 小南裕子, 浦部和雄, 喜多尾道火児, 中西洋一郎, 畑中義式
1Q26 ITOをバッファ層としたSi基板上への有機薄膜 EL 素子の作製 (静岡大電子研・電子科研)
゜秋山剛志, 今橋 渉, 小南裕子, 中西洋一郎, 畑中義式
(15:30〜16:45)
特1Q27 希土類を固溶したけい酸アパタイトの合成と発光スペクトル (大工研)
瀬戸口正宏
1Q29 Effect of Zn on Photo and Cathodo-Iuminescent Properties of Y2O3:
Eu Red Phosphor (静岡大電子研・電子科研) ゜M. Kottaisamy, H. Kominami,
Y. Nakanishi, Y. Hatanaka
1Q30 SrIn2O4: Prの発光特性に対する3価金属元素の効果(伊勢電子,
鈴鹿高専) ゜大島英紀, 山田 弘, 辻 斉, 山口慎司, 佐々木渉
1Q31 希土類添加アルカリ土類−インジウム複酸化物の発光特性 (東京工科大工,
鳥取大工) ゜山元 明, 光峰さとえ, 岡本慎二
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