【電子デバイス・材料】
（10：00〜11：00）
1J05 発光セメントモルタルの基礎研究（名城大）安藤一善，藤田晃弘
1J06 89Y-固体NMRによるY2O2S：Eu中のEuの分布（三菱化学，東京水産大）°原園としえ，渡部徳子
1J07 X線輝尽蛍光体SrB（PO5）：Euの高周波ESR及びPLによる評価（静岡大工）°竹山知陽，高橋直行，中村高遠，R.
ジャガナサン，A. カルティケヤニ，G. M. スミス，P. C リーディ
1J08 EuxGd2-xMo5O18 の構造と発光特性（東工大資源研）°成毛治朗，山瀬利博
（11：00〜12：00）
1J09 ペロブスカイト型構造に添加された希土類元素の電気化学的発光（東工大院総合理工）°園山範之，河村 健，菅野了次
1J10 電解析出法によるCe-Coナノ酸化物透明電極の作成とエレクトロクロミズムへの応用（都立大院工）°吉野隆子，益田秀樹
1J11 マグネシウム合金薄膜の調光ミラー特性 (II)（産総研基礎素材）°吉村和記，岡田昌久，山田保誠
1J12 大気圧ハライドCVDによる窒化スズ薄膜の作製と光記録能（静岡大工）°武川将久，高橋直行，中村高遠，中野雅晴，居波 渉，川田善正
（13：00〜14：00）
1J17 大気圧ハライドCVDによるパイライト薄膜の作製とその物性（静岡大工）°中谷祐介，高橋直行，中村高遠
1J18 大気圧ハライドCVDによるFe4Nエピタキシャル薄膜の磁気特性（静岡大工，スズキ，分子研，セントアンドリュース大）°高橋正志，高橋直行，中村高遠，加藤立久，古川 貢，G.
M. スミス，P. C. リーディ
1J19 近接気化型CVD法によるTiO2 膜の作製（長岡技大化学系）°西野純一，Sittidej
Teekateerawej，野坂芳雄
1J20 大気圧原子層堆積法によるZrO2 薄膜の作製と評価（静岡大工）°野々部真一，高橋直行，中村高遠，青木 徹
（14：00〜15：15）
1J21 光・熱CVD法で作成したホウ素およびリン化ホウ素薄膜の熱電特性（横浜国大院工）°熊代幸伸，榎本達志，佐藤浩太
1J22 分子流領域でのPVD法で作成したB-Sb薄膜の半導体特性（横浜国大院工，日大文理）°熊代幸伸，大塚 学，中村勝光，佐藤浩太
1J23 大気圧ハライドCVDによる柱状InN薄膜の作製と結晶性の評価（静岡大工）°丹羽愛玲，高橋直行，中村高遠，吉岡正行
1J24 AP-HVPEによるサファイア（1120）上でのZnO薄膜の作製と評価（静岡大工）°橋本浩一，高橋直行，中村高遠，山元 明
1J25 溶融塩電着ホウ素ウエハーの熱電特性 (III)（横浜国大院工）°熊代幸伸，尾崎史朗，佐藤浩太
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