| 第1日・9月27日（土） |
| 【シンポジウム:電子材料及びナノ機能素子技術】 |
| 主催:電子材料委員会 |
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(10:00～11:00) |
| 招1I05 | スーパーチップ技術と3次元LSI（東北大） 小柳光正 |
| 招1I07 | 金属触媒を利用したＳｉエッチングのＴＳＶ形成技術への応用の検討（阪大） ○松村道雄 |
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(11:00～12:00) |
| 1I09 | 微細配線の高速形成に向けた導電性ポリマー／金属コンポジットの光化学析出（(独)物質・材料研究機構） ○川喜多仁,知京豊裕 |
| 1I10 | 無電解NiWPめっき膜の形成と膜質の検討（関西大） ○宮地悠人,新宮原正三,清水智弘,太田晃平 |
| 1I11 | 無電解めっき触媒用Pdナノ粒子の安定性評価（田中貴金属工業,東北大,関西大） ○中村紀章,谷内淳一,曽根孝之,佐々木琴江,井上史大,清水智弘,新宮原正三 |
| 1I12 | 電気銅めっきによるビアホール充填における添加剤の影響（京大,阪府大,上村工業） ○金子豊,林太郎,近藤和夫,小原勝彦,浅富士夫 |
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(13:00～14:00) |
| 招1I17 | ＴＳＶめっきと一価銅（阪府大） ○近藤和夫 |
| 招1I19 | プリント基板向け酸性電解銅めっき用添加剤の作用について（奥野製薬工業(株)） ○西城信吾 |
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(14:00～15:00) |
| 1I21 | 配線応用のためのエタノール原料を用いたCo触媒上の多層グラフェン成長（芝浦工大,超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）） ○内田昂紀,馬場祥太郎,矢野裕晃,佐久間尚志,梶田明広,酒井忠司,上野和良 |
| 1I22 | メタルアシストエッチングで作製したシリコンナノワイヤの機能素子化検討（関西大） ○田中規寛,近藤彰人,大塚慎太郎,原安寛,清水智弘,新宮原正三 |
| 1I23 | [Sb2Te3/GeTe]超格子膜からなるTRAM（Topological switching RAM）におけるGeTe配列とスイッチング動作（超低電圧デバイス技術研究組合,筑波大,名大） ○大柳孝純,北村匡史,加藤重徳,洗平昌晃,高浦則克,白石賢二,田井光春,木下勝治,森川貴博,秋田憲二 |
| 1I24 | 異なる組成を持つナノ粒子の積層によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜の作製と光電気化学特性評価（名大,阪大） ○小林央人,西弘泰,池田茂,松村道雄,鳥本司 |
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(15:15～16:45) |
| 招1I26 | 最新CMPプロセスにおける電気化学の重要性（(株)荏原製作所） ○嶋昇平 |
| 招1I28 | III-V族化合物半導体ナノワイヤ選択成長と電子素子応用（北大） ○冨岡克広,石坂文哉,中井栄治,福井孝志 |
| 招1I30 | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト合成と低抵抗化への挑戦（東北大） ○小川修一 |
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(16:45～17:45) |
| 1I32 | 種々の界面層を用いた極薄Ag
陽極膜の有機EL素子への応用（北見工大） ○川村みどり,石塚雄太,阿部良夫,金敬鎬 |
| 1I33 | マイクロ流路による流れ環境下の銅溶解観察 ‐溶存酸素量の影響‐（東理大,荏原製作所(株)） ○森洋輔,鈴木崇弘,高東智佳子,早瀬仁則 |
| 1I34 | CuSn合金ﾅﾉﾂﾘーの形成メカニズム（関西大,室蘭工大） ○金子直人,新宮原正三,清水智弘,田中秀吉,夛田芳広 |
| 1I35 | CuSn合金ナノツリーの大気中熱酸化と伝導特性評価（室蘭工大,関西大） ○夛田芳広,金子直人,清水智弘,新宮原正三 |
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